Taiwan Semiconductor Corporation TSM950N10CW RPG
- TSM950N10CW RPG
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TSM950N10CW RPG Datenblatt
- TO-261-4, TO-261AA
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 15670
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| Teilenummer TSM950N10CW RPG |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
| Beschreibung MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 |
| Paket -Reel® |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-261-4, TO-261AA |
| Gerätepaket des Lieferanten SOT-223 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 9W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1480 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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