Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B,S1Q
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- TW070J120B,S1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TW070J120B,S1Q Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 3388
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| Teilenummer TW070J120B,S1Q |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung SICFET N-CH 1200V 36A TO3P |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-3P(N) |
| Technologie SiCFET (Silicon Carbide) |
| Verlustleistung (max.) 272W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 36A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 18A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @Id 5.8V @ 20mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 20 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1680 pF @ 800 V |
| Vgs (Max) ±25V, -10V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 20V |
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