Renesas Electronics America Inc UPA2723UT1A-E1-AY
- UPA2723UT1A-E1-AY
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 30V 33A 8DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- UPA2723UT1A-E1-AY Datenblatt
- 8-VDFN Exposed Pad
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 832
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer UPA2723UT1A-E1-AY |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 33A 8DFN |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-VDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) - |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 33A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 17A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 8.1 pF @ 10 V |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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