US1J R3G

Taiwan Semiconductor Corporation US1J R3G

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  • US1J R3G
  • Taiwan Semiconductor Corporation
  • DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • US1J R3G Datenblatt
  • DO-214AC, SMA
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 9537
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
US1J R3G
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
DO-214AC, SMA
Gerätepaket des Lieferanten
DO-214AC (SMA)
Diodentyp
Standard
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 1 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
5 µA @ 600 V
Kapazität@Vr,F
10pF @ 4V, 1MHz
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600 V
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 150°C

US1J R3G Garantien

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