UTV8100B

Microsemi Corporation UTV8100B

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • UTV8100B
  • Microsemi Corporation
  • RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • UTV8100B Datenblatt
  • 55RT
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3921
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
UTV8100B
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
200°C (TJ)
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
55RT
Gerätepaket des Lieferanten
55RT
Gewinnen
8.5dB ~ 9.5dB
Power-Max
290W
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
15A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
60V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 @ 1A, 5V
Frequenzübergang
470MHz ~ 860MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
-

UTV8100B Garantien

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0910-60M
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