Vishay Semiconductor - Diodes Division VS-4ESH02-M3/86A
- VS-4ESH02-M3/86A
- Vishay Semiconductor - Diodes Division
- DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
- Diodes - Rectifiers - Single
- VS-4ESH02-M3/86A Datenblatt
- TO-277, 3-PowerDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 6512
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer VS-4ESH02-M3/86A |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller Vishay Semiconductor - Diodes Division |
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie FRED Pt® |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-277, 3-PowerDFN |
Gerätepaket des Lieferanten TO-277A (SMPC) |
Diodentyp Standard |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 4A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 930 mV @ 4 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 2 µA @ 200 V |
Kapazität@Vr,F - |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200 V |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 20 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
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Bemerkungen
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