Vishay Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TH120N
- VS-GB100TH120N
- Vishay Semiconductor - Diodes Division
- IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
- Transistors - IGBTs - Modules
- VS-GB100TH120N Datenblatt
- Double INT-A-PAK (3 + 4)
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4644
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer VS-GB100TH120N |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
| Hersteller Vishay Semiconductor - Diodes Division |
| Beschreibung IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Chassis Mount |
| Paket/Koffer Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Gerätepaket des Lieferanten Double INT-A-PAK |
| Power-Max 833 W |
| Konfiguration Half Bridge |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 5 mA |
| IGBT-Typ - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 100A |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.58 nF @ 25 V |
| Eingang Standard |
| NTC-Thermostat No |
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Bemerkungen
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