Vishay Semiconductor - Diodes Division VS-GB50LP120N
- VS-GB50LP120N
- Vishay Semiconductor - Diodes Division
- IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK
- Transistors - IGBTs - Modules
- VS-GB50LP120N Datenblatt
- INT-A-PAK (3 + 4)
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2171
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer VS-GB50LP120N |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller Vishay Semiconductor - Diodes Division |
Beschreibung IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer INT-A-PAK (3 + 4) |
Gerätepaket des Lieferanten INT-A-PAK |
Power-Max 446 W |
Konfiguration Single |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 1 mA |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A (Typ) |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.29 nF @ 25 V |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat No |
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Bemerkungen
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