Winbond Electronics W631GG8MB09I
- W631GG8MB09I
- Winbond Electronics
- IC SDRAM 1GB X8 1066MHZ 78WBGA
- Memory
- W631GG8MB09I Datenblatt
- 78-VFBGA
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 13729
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
- Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer W631GG8MB09I |
Kategorie Memory |
Hersteller Winbond Electronics |
Beschreibung IC SDRAM 1GB X8 1066MHZ 78WBGA |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C (TC) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 78-VFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten 78-VFBGA (8x10.5) |
Speichergröße 1Gb (128M x 8) |
Technologie SDRAM - DDR3 |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz 1.066 GHz |
Zugriffszeit 20 ns |
Gedächtnis-Format DRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 15ns |
Speicherschnittstelle SSTL_15 |
W631GG8MB09I Garantien
• Antworten Sie umgehend
• Garantierte Qualität
• Globaler Zugang
• Wettbewerbsfähiger Marktpreis
• One-Stop-Support für die Lieferkette
Jinftry, es ist Ihr vertrauenswürdigster Zulieferer. Bitte senden Sie uns die Anfrage. Vielen Dank!
Haben Sie Fragen zu W631GG8MB09I ?
Fühlen Sie sich frei uns zu kontaktieren:
+86-755-28503874
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( E-Mail zuerst wird dankbar sein )
Bemerkungen
Winbond Electronics

WINBOND was founded in 1987 and is located in Hsinchu Science Park, Taiwan. It was officially listed on the Taiwan Stock Exchange in 1995 (Huabang Electric: 2344). Over the years, Huabang has made great efforts in...

W29N02KZDIBF TR
2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E

W631GG8MB11I
2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E

W632GU6NB12I TR
2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E

W25M02GWZEIT
2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E

W25N02JWTBIF
2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E

W25N02JWTBIC
2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E

W631GG6MB09I
2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E

W25R512JVEIQ
2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E