WeEn Semiconductors WNSC12650T6J
- WNSC12650T6J
- WeEn Semiconductors
- SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Diodes - Rectifiers - Single
- WNSC12650T6J Datenblatt
- 4-VDFN Exposed Pad
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2445
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer WNSC12650T6J |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller WeEn Semiconductors |
Beschreibung SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 4-VDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten 5-DFN (8x8) |
Diodentyp Silicon Carbide Schottky |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 12A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 12 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 60 µA @ 650 V |
Kapazität@Vr,F 328pF @ 1V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650 V |
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle 175°C |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd was registered as a company on August 5, 2015. WeEn's global footprint includes operating headquarters in Shanghai, and wholly-owned subsidiaries and centers in Jilin and Hong Kong, Northeast China (front-end manufacturing),...

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