1N5619US

Microsemi Corporation 1N5619US

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  • 1N5619US
  • Microsemi Corporation
  • DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • 1N5619US Datenblatt
  • SQ-MELF, A
  • SQ-MELF, A
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3553
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
1N5619US
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Paket
SQ-MELF, A
Serie
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SQ-MELF, A
Gerätepaket des Lieferanten
D-5A
Diodentyp
Standard
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.6V @ 3A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
500nA @ 600V
Kapazität@Vr,F
25pF @ 12V, 1MHz
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
250ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-65°C ~ 175°C

1N5619US Garantien

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