1N5809US

Microsemi Corporation 1N5809US

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  • 1N5809US
  • Microsemi Corporation
  • DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • 1N5809US Datenblatt
  • SQ-MELF, B
  • SQ-MELF, B
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2151
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
1N5809US
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Paket
SQ-MELF, B
Serie
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SQ-MELF, B
Gerätepaket des Lieferanten
B, SQ-MELF
Diodentyp
Standard
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
875mV @ 4A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
5µA @ 100V
Kapazität@Vr,F
60pF @ 10V, 1MHz
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
100V
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
30ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-65°C ~ 175°C

1N5809US Garantien

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