Microsemi Corporation 1N5809US
- 1N5809US
- Microsemi Corporation
- DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
- Diodes - Rectifiers - Single
- 1N5809US Datenblatt
- SQ-MELF, B
- SQ-MELF, B
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2151
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer 1N5809US |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller Microsemi Corporation |
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
Paket SQ-MELF, B |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SQ-MELF, B |
Gerätepaket des Lieferanten B, SQ-MELF |
Diodentyp Standard |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 3A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 5µA @ 100V |
Kapazität@Vr,F 60pF @ 10V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 30ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
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Bemerkungen
Microsemi Corporation

Founded in 1960, Microsemi Corporation is a leading designer, manufacturer, and marketer of high-performance analog and mixed signal integrated circuits, as well as high reliability semiconductors. The company is headquartered in Irvine, California, USA,...

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