NXP USA Inc. A2G35S160-01SR3
- A2G35S160-01SR3
- NXP USA Inc.
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- A2G35S160-01SR3 Datenblatt
- NI-400S-2S
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1363
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer A2G35S160-01SR3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Paket/Koffer NI-400S-2S |
Gerätepaket des Lieferanten NI-400S-2S |
Frequenz 3.4GHz ~ 3.6GHz |
Gewinnen 15.7dB |
Rauschzahl - |
Leistungsabgabe 51dBm |
Transistortyp LDMOS |
Spannungstest 48 V |
Stromtest 190 mA |
Spannungsbewertet 125 V |
Nennstrom (Ampere) - |
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Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...

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