A2G35S160-01SR3

NXP USA Inc. A2G35S160-01SR3

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • A2G35S160-01SR3
  • NXP USA Inc.
  • AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF
  • A2G35S160-01SR3 Datenblatt
  • NI-400S-2S
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1363
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
A2G35S160-01SR3
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Paket/Koffer
NI-400S-2S
Gerätepaket des Lieferanten
NI-400S-2S
Frequenz
3.4GHz ~ 3.6GHz
Gewinnen
15.7dB
Rauschzahl
-
Leistungsabgabe
51dBm
Transistortyp
LDMOS
Spannungstest
48 V
Stromtest
190 mA
Spannungsbewertet
125 V
Nennstrom (Ampere)
-

A2G35S160-01SR3 Garantien

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NXP USA Inc.
NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States. The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
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