NXP USA Inc. A2G35S200-01SR3
- A2G35S200-01SR3
- NXP USA Inc.
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- A2G35S200-01SR3 Datenblatt
- NI-400S-2S
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 11304
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer A2G35S200-01SR3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Paket/Koffer NI-400S-2S |
Gerätepaket des Lieferanten NI-400S-2S |
Frequenz 3.4GHz ~ 3.6GHz |
Gewinnen 16.1dB |
Rauschzahl - |
Leistungsabgabe 180W |
Transistortyp GaN HEMT |
Spannungstest 48 V |
Stromtest 291 mA |
Spannungsbewertet 125 V |
Nennstrom (Ampere) - |
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Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...

MRFX600HR5
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V

MRFX1K80GNR5
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V

BLA6H0912-500112
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V

AFV10700HSR5
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MRF101AN-START
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V

MRF6VP3450HSR5-NXP
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V

A3G26D055N-2400
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V

MRF24G300HS-2STG
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V