NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3
- A2T18S262W12NR3
- NXP USA Inc.
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- A2T18S262W12NR3 Datenblatt
- OM-880X-2L2L
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 10503
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
- Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer A2T18S262W12NR3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Paket/Koffer OM-880X-2L2L |
Gerätepaket des Lieferanten OM-880X-2L2L |
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz |
Gewinnen 19.3dB |
Rauschzahl - |
Leistungsabgabe 231W |
Transistortyp LDMOS |
Spannungstest 28 V |
Stromtest 1.6 A |
Spannungsbewertet 65 V |
Nennstrom (Ampere) 10µA |
A2T18S262W12NR3 Garantien
• Antworten Sie umgehend
• Garantierte Qualität
• Globaler Zugang
• Wettbewerbsfähiger Marktpreis
• One-Stop-Support für die Lieferkette
Jinftry, es ist Ihr vertrauenswürdigster Zulieferer. Bitte senden Sie uns die Anfrage. Vielen Dank!
Haben Sie Fragen zu A2T18S262W12NR3 ?
Fühlen Sie sich frei uns zu kontaktieren:
+86-755-28503874
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( E-Mail zuerst wird dankbar sein )
Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...

A2T21S260W12NR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A2G22S190-01SR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A3T21H400W23SR6
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A2V09H300-04NR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A2G22S251-01SR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A3G20S250-01SR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A3T18H400W23SR6
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A3T21H455W23SR6
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO