NXP USA Inc. A2T21S260W12NR3
- A2T21S260W12NR3
- NXP USA Inc.
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- A2T21S260W12NR3 Datenblatt
- OM-880X-2L2L
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 27253
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer A2T21S260W12NR3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Paket/Koffer OM-880X-2L2L |
| Gerätepaket des Lieferanten OM-880X-2L2L |
| Frequenz 2.11GHz ~ 2.2GHz |
| Gewinnen 17.9dB |
| Rauschzahl - |
| Leistungsabgabe 218W |
| Transistortyp LDMOS |
| Spannungstest 28 V |
| Stromtest 1.6 A |
| Spannungsbewertet 65 V |
| Nennstrom (Ampere) 10µA |
A2T21S260W12NR3 Garantien



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Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
A2G22S190-01SR3
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
A3T21H400W23SR6
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