APT70GR65B2SCD30

Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30

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  • APT70GR65B2SCD30
  • Microsemi Corporation
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Transistors - IGBTs - Single
  • APT70GR65B2SCD30 Datenblatt
  • TO-247-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3593
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Part Number
APT70GR65B2SCD30
Category
Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer
Microsemi Corporation
Description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
T-MAX™ [B2]
Power - Max
595 W
Input Type
-
Reverse Recovery Time (trr)
-
Current - Collector (Ic) (Max)
134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 70A
Gate Charge
305 nC
Td (on/off) @ 25°C
19ns/170ns
Test Condition
433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Current - Collector Pulsed (Icm)
260 A
Switching Energy
-
Package_case
TO-247-3

APT70GR65B2SCD30 Garantien

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