Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30
- APT70GR65B2SCD30
- Microsemi Corporation
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Transistors - IGBTs - Single
- APT70GR65B2SCD30 Datenblatt
- TO-247-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3593
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer APT70GR65B2SCD30 |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
| Hersteller Microsemi Corporation |
| Beschreibung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-247-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten T-MAX™ [B2] |
| Power-Max 595 W |
| Eingabetyp - |
| Reverse Recovery Time (trr) - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 134 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
| IGBT-Typ NPT |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A |
| Gate-Gebühr 305 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C 19ns/170ns |
| Testbedingung 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) 260 A |
| Energie wechseln - |
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Bemerkungen
Microsemi Corporation

Founded in 1960, Microsemi Corporation is a leading designer, manufacturer, and marketer of high-performance analog and mixed signal integrated circuits, as well as high reliability semiconductors. The company is headquartered in Irvine, California, USA,...
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