APT70GR65B2SCD30

Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30

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  • APT70GR65B2SCD30
  • Microsemi Corporation
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Transistors - IGBTs - Single
  • APT70GR65B2SCD30 Datenblatt
  • TO-247-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3593
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer
APT70GR65B2SCD30
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
T-MAX™ [B2]
Power-Max
595 W
Eingabetyp
-
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
134 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
650 V
IGBT-Typ
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 70A
Gate-Gebühr
305 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
19ns/170ns
Testbedingung
433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
260 A
Energie wechseln
-

APT70GR65B2SCD30 Garantien

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