Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G
- APTGFQ25H120T2G
- Microsemi Corporation
- IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
- Transistors - IGBTs - Modules
- APTGFQ25H120T2G Datenblatt
- SP2
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 891
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Teilenummer APTGFQ25H120T2G |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller Microsemi Corporation |
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2 |
Paket Tray |
Serie - |
Betriebstemperatur - |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer SP2 |
Gerätepaket des Lieferanten SP2 |
Power-Max 227 W |
Konfiguration Full Bridge |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 250 µA |
IGBT-Typ NPT and Fieldstop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.02 nF @ 25 V |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat Yes |
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Bemerkungen
Microsemi Corporation

Founded in 1960, Microsemi Corporation is a leading designer, manufacturer, and marketer of high-performance analog and mixed signal integrated circuits, as well as high reliability semiconductors. The company is headquartered in Irvine, California, USA,...

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