APTGFQ25H120T2G

Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • APTGFQ25H120T2G
  • Microsemi Corporation
  • IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • APTGFQ25H120T2G Datenblatt
  • SP2
  • Tray
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 891
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
APTGFQ25H120T2G
Kategorie
Transistors - IGBTs - Modules
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
Paket
Tray
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
SP2
Gerätepaket des Lieferanten
SP2
Power-Max
227 W
Konfiguration
Full Bridge
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
40 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
1200 V
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
250 µA
IGBT-Typ
NPT and Fieldstop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
2.02 nF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermostat
Yes

APTGFQ25H120T2G Garantien

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