Microsemi Corporation APTGT100DH60T3G
- APTGT100DH60T3G
- Microsemi Corporation
- IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
- Transistors - IGBTs - Modules
- APTGT100DH60T3G Datenblatt
- SP3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4768
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer APTGT100DH60T3G |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller Microsemi Corporation |
Beschreibung IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3 |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer SP3 |
Gerätepaket des Lieferanten SP3 |
Power-Max 340 W |
Konfiguration Asymmetrical Bridge |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 250 µA |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.1 nF @ 25 V |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat Yes |
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Bemerkungen
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Founded in 1960, Microsemi Corporation is a leading designer, manufacturer, and marketer of high-performance analog and mixed signal integrated circuits, as well as high reliability semiconductors. The company is headquartered in Irvine, California, USA,...

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