Microsemi Corporation APTGT50DH120T3G
- APTGT50DH120T3G
- Microsemi Corporation
- IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP3
- Transistors - IGBTs - Modules
- APTGT50DH120T3G Datenblatt
- SP3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1127
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Teilenummer APTGT50DH120T3G |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller Microsemi Corporation |
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP3 |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer SP3 |
Gerätepaket des Lieferanten SP3 |
Power-Max 277 W |
Konfiguration Asymmetrical Bridge |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 75 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 250 µA |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.6 nF @ 25 V |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat Yes |
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Bemerkungen
Microsemi Corporation

Founded in 1960, Microsemi Corporation is a leading designer, manufacturer, and marketer of high-performance analog and mixed signal integrated circuits, as well as high reliability semiconductors. The company is headquartered in Irvine, California, USA,...

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