Infineon Technologies BFP196WH6327
- BFP196WH6327
- Infineon Technologies
- RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- BFP196WH6327 Datenblatt
- SC-82A, SOT-343
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 27082
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer BFP196WH6327 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung RF TRANSISTOR, L BAND, NPN |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SC-82A, SOT-343 |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-SOT343-4 |
| Gewinnen 12.5dB ~ 19dB |
| Power-Max 700mW |
| Transistortyp NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 12V |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V |
| Frequenzübergang 7.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
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