BLA6G1011L-200RG112

NXP USA Inc. BLA6G1011L-200RG112

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  • BLA6G1011L-200RG112
  • NXP USA Inc.
  • POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • BLA6G1011L-200RG112 Datenblatt
  • -
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4737
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
BLA6G1011L-200RG112
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Power-Max
-
Transistortyp
-
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
-
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Frequenzübergang
-

BLA6G1011L-200RG112 Garantien

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NXP USA Inc.
NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States. The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
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