BLA6G1011L-200RG112

NXP USA Inc. BLA6G1011L-200RG112

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  • BLA6G1011L-200RG112
  • NXP USA Inc.
  • POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • BLA6G1011L-200RG112 Datenblatt
  • -
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4737
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Part Number
BLA6G1011L-200RG112
Category
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Manufacturer
NXP USA Inc.
Description
POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
-
Package / Case
-
Supplier Device Package
-
Power - Max
-
Transistor Type
-
Current - Collector (Ic) (Max)
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Frequency - Transition
-
Package_case
-

BLA6G1011L-200RG112 Garantien

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