NXP USA Inc. BLF184XR112
- BLF184XR112
- NXP USA Inc.
- POWER LDMOS TRANSISTOR
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- BLF184XR112 Datenblatt
- -
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 3457
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Part Number BLF184XR112 |
Category Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Manufacturer NXP USA Inc. |
Description POWER LDMOS TRANSISTOR |
Package Bulk |
Series - |
Operating Temperature - |
Mounting Type - |
Package / Case - |
Supplier Device Package - |
Power - Max - |
Transistor Type - |
Current - Collector (Ic) (Max) - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - |
Current - Collector Cutoff (Max) - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce - |
Frequency - Transition - |
Package_case - |
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