NXP USA Inc. BLF6G10LS-135RN112
- BLF6G10LS-135RN112
- NXP USA Inc.
- POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- BLF6G10LS-135RN112 Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4615
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| Teilenummer BLF6G10LS-135RN112 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 ( |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart - |
| Paket/Koffer - |
| Gerätepaket des Lieferanten - |
| Power-Max - |
| Transistortyp - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) - |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) - |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic - |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) - |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce - |
| Frequenzübergang - |
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Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
A2T07D160W04SR3128
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