NXP USA Inc. BUK762R6-60E,118
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- BUK762R6-60E,118
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BUK762R6-60E,118 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 16332
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| Teilenummer BUK762R6-60E,118 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| Paket Bulk |
| Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten D2PAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 324W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 10.17 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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NXP USA Inc.
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