NXP USA Inc. BUK9Y59-60E,115
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- BUK9Y59-60E,115
- NXP USA Inc.
- N-CHANNEL 60 V, 59 MILLI OHMS LO
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BUK9Y59-60E,115 Datenblatt
- SC-100, SOT-669
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 2321
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer BUK9Y59-60E,115 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung N-CHANNEL 60 V, 59 MILLI OHMS LO |
| Paket Bulk |
| Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SC-100, SOT-669 |
| Gerätepaket des Lieferanten LFPAK56, Power-SO8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 37W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16.7A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 715 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±10V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V |
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