CMT-PLA3SB12340A

CMT-PLA3SB12340A three-phase full-bridge 1200V/340A SiC MOSFET intelligent power module

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  • CMT-PLA3SB12340A
  • CMT-PLA3SB12340A three-phase full-bridge 1200V/340A SiC MOSFET intelligent power module
  • CISSOID
  • CMT-PLA3SB12340A Datenblatt
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 401
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》 Erfahren Sie mehr
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  • Power device junction temperature: -40°C to +175°C
  • Gate driver ambient temperature: -40°C to 125°C
  • Drain-source breakdown voltage: 1200V
  • Low on-resistance: 3.25mOhms (typ.)
  • Maximum continuous current: 340A/260A at Tc=25°C/90°C
  • Lightweight AlSiC planar substrate
  • Junction to case thermal resistance: 0.183 °C/W (typ)
  • Switching energy @ 600V/300A: Eon=8.42mJ/Eoff=7.05mJ
  • Switching frequency: max. 50kHz
  • Isolation (backplane - power pins): 3600VAC @50Hz (1 minute)
  • Common mode transient immunity: >50kV/μs
  • Low parasitic capacitance (primary-secondary): 11pF typical per phase
  • Gate driver protection:
  • Undervoltage lockout (UVLO)
  • desaturation protection
  • Soft shutdown (SSD)
  • Negative gate drive (-3V)
  • Active Miller Clamp (AMC)
  • Gate-source short circuit protection
  • Garantien

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