Diodes Incorporated DMG10N60SCT
- DMG10N60SCT
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DMG10N60SCT Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 28879
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer DMG10N60SCT |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Diodes Incorporated |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220AB |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 178W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1587 pF @ 16 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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