IXYS IXTP5N60P
- IXTP5N60P
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IXTP5N60P Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 23468
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IXTP5N60P |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller IXYS |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB |
Paket Tube |
Serie PolarHV™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 100W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5.5V @ 50µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14.2 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 750 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
IXTP5N60P Garantien
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