Diodes Incorporated DMG4N60SJ3
- DMG4N60SJ3
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 600V 3A TO251
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DMG4N60SJ3 Datenblatt
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3559
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer DMG4N60SJ3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Diodes Incorporated |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 3A TO251 |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Gerätepaket des Lieferanten TO-251 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 41W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 532 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
DMG4N60SJ3 Garantien
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Bemerkungen
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Diodes Incorporated was founded in 1968 in the United States, with its headquarters located in Plano, Texas and Milpitas, California. It is a S&P small cap 600 and Russell 3000 index company, as well as...

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