Diodes Incorporated DMN100-7-F
- DMN100-7-F
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DMN100-7-F Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2140
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer DMN100-7-F |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Diodes Incorporated |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gerätepaket des Lieferanten SC-59-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.1A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 150 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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