EM63B165TS-5ISG

Etron Technology, Inc. EM63B165TS-5ISG

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • EM63B165TS-5ISG
  • Etron Technology, Inc.
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
  • Memory
  • EM63B165TS-5ISG Datenblatt
  • 54-TSOP (0.400\", 10.16mm Width)
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1396
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer
EM63B165TS-5ISG
Kategorie
Memory
Hersteller
Etron Technology, Inc.
Beschreibung
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
54-TSOP (0.400\", 10.16mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
54-TSOP II
Speichergröße
512M (32M x 16)
Technologie
SDRAM
Speichertyp
Volatile
Taktfrequenz
200 MHz
Zugriffszeit
4.5 ns
Gedächtnis-Format
DRAM
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
10ns
Speicherschnittstelle
Parallel

EM63B165TS-5ISG Garantien

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