Fujitsu Semiconductor MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1
- MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1
- Fujitsu Semiconductor
- 4MBIT FRAM, SPI, 1.7~1.95V - DFN
- Memory
- MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 Datenblatt
- 8-VDFN Exposed Pad
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant - 1992
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 |
| Kategorie Memory |
| Hersteller Fujitsu Semiconductor |
| Beschreibung 4MBIT FRAM, SPI, 1.7~1.95V - DFN |
| Paket Tray |
| Serie - |
| Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-VDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-DFN (5x6) |
| Speichergröße 4Mb (512K x 8) |
| Technologie FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Speichertyp Non-Volatile |
| Taktfrequenz 50 MHz |
| Zugriffszeit 9 ns |
| Gedächtnis-Format FRAM |
| Schreibzykluszeit – Wort, Seite - |
| Speicherschnittstelle SPI |
MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 Garantien



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Bemerkungen
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