EPC EPC2010
- EPC2010
- EPC
- GANFET N-CH 200V 12A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2010 Datenblatt
- Die
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 22696
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| Teilenummer EPC2010 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller EPC |
| Beschreibung GANFET N-CH 200V 12A DIE |
| Paket -Reel® |
| Serie eGaN® |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Die |
| Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
| Verlustleistung (max.) - |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 3mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 540 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) +6V, -4V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V |
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