EPC EPC2010CENGR
- EPC2010CENGR
- EPC
- TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2010CENGR Datenblatt
- Die
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-
Lead free / RoHS Compliant
- 2014
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Teilenummer EPC2010CENGR |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller EPC |
Beschreibung TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
Paket Die |
Serie eGaN? |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die Outline (7-Solder Bar) |
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 12A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 3mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 380pF @ 100V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 5V |
Vgs (Max) +6V, -4V |
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