EPC EPC8005ENGR
- EPC8005ENGR
- EPC
- TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC8005ENGR Datenblatt
- Die
- Die
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3854
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Teilenummer EPC8005ENGR |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller EPC |
Beschreibung TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
Paket Die |
Serie eGaN? |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 65V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.9A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 275 mOhm @ 500mA, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 29pF @ 32.5V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 5V |
Vgs (Max) +6V, -5V |
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