EPC EPC8005ENGR
- EPC8005ENGR
- EPC
- TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC8005ENGR Datenblatt
- Die
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-
Lead free / RoHS Compliant - 3854
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| Teilenummer EPC8005ENGR |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller EPC |
| Beschreibung TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
| Paket Die |
| Serie eGaN? |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Die |
| Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET-Typ N-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 65V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 275 mOhm @ 500mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 29pF @ 32.5V |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 5V |
| Vgs (Max) +6V, -5V |
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