EPC EPC2023
- EPC2023
- EPC
- GANFET N-CH 30V 60A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2023 Datenblatt
- Die
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 7403
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Teilenummer EPC2023 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller EPC |
Beschreibung GANFET N-CH 30V 60A DIE |
Paket Tube |
Serie eGaN® |
Betriebstemperatur - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
Verlustleistung (max.) - |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 40A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 20mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2300 pF @ 15 V |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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