EPC EPC2023
- EPC2023
- EPC
- GANFET N-CH 30V 60A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2023 Datenblatt
- Die
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 5525
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer EPC2023 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller EPC |
| Beschreibung GANFET N-CH 30V 60A DIE |
| Paket Tube |
| Serie eGaN® |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Die |
| Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
| Verlustleistung (max.) - |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 40A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 20mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2300 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) - |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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