EPC EPC2815
- EPC2815
- EPC
- TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2815 Datenblatt
- Die
- Die
- Lead free / RoHS Compliant
- 1862
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Part Number EPC2815 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer EPC |
Description TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
Package Die |
Series eGaN? |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case Die |
Supplier Device Package Die |
Technology GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 33A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 9mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V |
Vgs (Max) +6V, -5V |
Package_case Die |
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