EPC EPC8009ENGR
- EPC8009ENGR
- EPC
- TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC8009ENGR Datenblatt
- Die
- Die
-
Lead free / RoHS Compliant
- 708
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
- Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer EPC8009ENGR |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller EPC |
Beschreibung TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
Paket Die |
Serie eGaN? |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 65V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.1A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 138 mOhm @ 500mA, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.38nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 47pF @ 32.5V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 5V |
Vgs (Max) +6V, -5V |
EPC8009ENGR Garantien
• Antworten Sie umgehend
• Garantierte Qualität
• Globaler Zugang
• Wettbewerbsfähiger Marktpreis
• One-Stop-Support für die Lieferkette
Jinftry, es ist Ihr vertrauenswürdigster Zulieferer. Bitte senden Sie uns die Anfrage. Vielen Dank!
Haben Sie Fragen zu EPC8009ENGR ?
Fühlen Sie sich frei uns zu kontaktieren:
+86-755-28503874
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( E-Mail zuerst wird dankbar sein )
Bemerkungen
EPC

EPC2029ENGR
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

EPC2034ENGR
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

EPC2033ENGR
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

EPC2032ENGR
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

EPC2031ENGR
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

EPC2015CENGR
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

EPC2025
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

EPC2040ENGR
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE