EPC EPC8002
- EPC8002
- EPC
- GANFET N-CH 65V 2A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC8002 Datenblatt
- Die
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 4673
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer EPC8002 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller EPC |
| Beschreibung GANFET N-CH 65V 2A DIE |
| Paket -Reel® |
| Serie eGaN® |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Die |
| Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
| Verlustleistung (max.) - |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 65 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 500mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 21 pF @ 32.5 V |
| Vgs (Max) +6V, -4V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V |
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