ON Semiconductor FDD3706
- FDD3706
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDD3706 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 27648
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| Teilenummer FDD3706 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAK |
| Paket -Reel® |
| Serie PowerTrench® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 44W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14.7A (Ta), 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 16.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1882 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±12V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 10V |
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Bemerkungen
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