Diodes Incorporated ZVNL110GTA
- ZVNL110GTA
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- ZVNL110GTA Datenblatt
- TO-261-4, TO-261AA
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4008
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer ZVNL110GTA |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Diodes Incorporated |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-261-4, TO-261AA |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-223-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 600mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 1.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 75 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V, 10V |
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