Fairchild Semiconductor FDR836P
- FDR836P
- Fairchild Semiconductor
- P-CHANNEL MOSFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDR836P Datenblatt
- 8-LSOP (0.130\", 3.30mm Width)
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2482
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Teilenummer FDR836P |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung P-CHANNEL MOSFET |
Paket Bulk |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-LSOP (0.130\", 3.30mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten SuperSOT™-8 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) |
FET-Typ P-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.1A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.1A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2200 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±8V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 4.5V |
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