Infineon Technologies FF45MR12W1M1B11BOMA1
- FF45MR12W1M1B11BOMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET MODULE 1200V 50A
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- FF45MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
- Module
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant - 4971
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer FF45MR12W1M1B11BOMA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung MOSFET MODULE 1200V 50A |
| Paket Tray |
| Serie CoolSiC™+ |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Chassis Mount |
| Paket/Koffer Module |
| Gerätepaket des Lieferanten AG-EASY1BM-2 |
| Power-Max 20mW (Tc) |
| FET-Typ 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV) |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Vgs(th) (Max) @Id 5.55V @ 10mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1840pF @ 800V |
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