ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G
- NVMFD5C650NLT1G
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- NVMFD5C650NLT1G Datenblatt
- 8-PowerTDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 14085
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer NVMFD5C650NLT1G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerTDFN |
Gerätepaket des Lieferanten 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Power-Max 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21A (Ta), 111A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 98µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2546pF @ 25V |
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Bemerkungen
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