FGD3N60UNDF

ON Semiconductor FGD3N60UNDF

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  • FGD3N60UNDF
  • ON Semiconductor
  • IGBT 600V 6A 60W DPAK
  • Transistors - IGBTs - Single
  • FGD3N60UNDF Datenblatt
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 19950
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
FGD3N60UNDF
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 6A 60W DPAK
Paket
-Reel®
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
TO-252AA
Power-Max
60 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
21 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
6 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
600 V
IGBT-Typ
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.52V @ 15V, 3A
Gate-Gebühr
1.6 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
5.5ns/22ns
Testbedingung
400V, 3A, 10Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
9 A
Energie wechseln
52µJ (on), 30µJ (off)

FGD3N60UNDF Garantien

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