ON Semiconductor FGD3N60UNDF
- FGD3N60UNDF
- ON Semiconductor
- IGBT 600V 6A 60W DPAK
- Transistors - IGBTs - Single
- FGD3N60UNDF Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 19950
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FGD3N60UNDF |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT 600V 6A 60W DPAK |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
Power-Max 60 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 21 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 6 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
IGBT-Typ NPT |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A |
Gate-Gebühr 1.6 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 5.5ns/22ns |
Testbedingung 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 9 A |
Energie wechseln 52µJ (on), 30µJ (off) |
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