NGTB03N60R2DT4G

ON Semiconductor NGTB03N60R2DT4G

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  • NGTB03N60R2DT4G
  • ON Semiconductor
  • IGBT 9A 600V DPAK
  • Transistors - IGBTs - Single
  • NGTB03N60R2DT4G Datenblatt
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1270
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NGTB03N60R2DT4G
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 9A 600V DPAK
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
DPAK
Power-Max
49 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
65 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
9 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
600 V
IGBT-Typ
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3A
Gate-Gebühr
17 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
27ns/59ns
Testbedingung
300V, 3A, 30Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
12 A
Energie wechseln
50µJ (on), 27µJ (off)

NGTB03N60R2DT4G Garantien

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