ON Semiconductor NGTB03N60R2DT4G
- NGTB03N60R2DT4G
- ON Semiconductor
- IGBT 9A 600V DPAK
- Transistors - IGBTs - Single
- NGTB03N60R2DT4G Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1270
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NGTB03N60R2DT4G |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT 9A 600V DPAK |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten DPAK |
Power-Max 49 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 9 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A |
Gate-Gebühr 17 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 27ns/59ns |
Testbedingung 300V, 3A, 30Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 12 A |
Energie wechseln 50µJ (on), 27µJ (off) |
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