Fairchild Semiconductor FQD13N10LTM
- FQD13N10LTM
- Fairchild Semiconductor
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQD13N10LTM Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 26099
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FQD13N10LTM |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
Paket Bulk |
Serie QFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 520 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V, 10V |
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