IXYS IXTP1N80P
- IXTP1N80P
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 1A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IXTP1N80P Datenblatt
- TO-220-3
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 5450
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IXTP1N80P |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller IXYS |
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 1A TO220AB |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie Polar™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 42W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 50µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 250 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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